Transîstorên bandora zeviyê yên metal-oksît-nîvconductor (MOSFET) di pîşesaziya elektronîkî de şoreşek mezin kirin, ku di nav cûrbecûr dorpêçan de bûne pêkhateyên berbelav. Digel ku fonksiyona wan a bingehîn kontrolkirin û xurtkirina îşaretên elektrîkê ye, MOSFET di heman demê de hêmanek ku pir caran lê tê paşguh kirin lê girîng jî digire: dioda laşê hundurîn. Ev posta blogê di nav tevliheviyên diodên laşê MOSFET-ê de vedigere, stratejiyan vedikole da ku windahiyên wan kêm bike û karbidestiya tevnvîsê zêde bike.
Fêmkirina windahiyên diode laşê MOSFET
Dioda laş, girêdanek parazît a xwerû ya di nav avahiya MOSFET-ê de, herikîna yekalî ya tîrêjê nîşan dide, ku dihêle ku rêj ji avê derbazî çavkaniyê bibe lê ne berevajî. Dema ku ew ji armancên hêja re xizmet dike, dioda laş dikare windahiyên hêzê destnîşan bike ku karbidestiya dorpêçê kêm dike.
Wendabûna guhêztinê: Di dema MOSFET-ê de, dioda laş berovajî vê yekê diherike, germê çêdike û hêzê belav dike.
Windakirina Veguheztinê: Di dema veguheztina MOSFET-ê de, dioda laş di heyama vegerandina berevajî de niha dimeşîne, ku dibe sedema windahiyên guheztinê.
Stratejiyên ji bo kêmkirina windahiyên MOSFET Body Diode
Hilbijartina MOSFET-ên rast: MOSFET-ên bi voltaja pêş a dioda laşê kêm û dema vegerandina berevajî hilbijêrin ku bi rêzê ve windahiyên guheztinê û veguheztinê kêm bikin.
Optimîzekirina Nîşaneyên Drive: Nîşaneyên ajokera dergehê rast bikar bînin da ku dema ku dioda laş di dema veguheztinê de dimeşîne, kêm bike, windahiyên veguheztinê kêm bike.
Bikaranîna Circuits Snubber: Dorpêçên snubber, ku ji berxwedêr û kapasitoran pêk tê, bicîh bikin, da ku enerjiya ku di induktansiyonên parazît de hatî hilanîn belav bike û pêlên voltê kêm bike, windahiyên veguheztinê kêm bike.
Dîodên Laşê Parallel: Dîodên derveyî yên paralel bi dioda laş re bihesibînin da ku heya niha parve bikin û belavkirina hêzê kêm bikin, nemaze di serîlêdanên kaniya bilind de.
Sêwirana Circuit Alternatîf: Di hin rewşan de, topolojiyên dorhêl ên alternatîf ên ku hewcedariya rêça rêgirtina dioda laş ji holê radikin, dikarin bêne hesibandin ku windahiyan bêtir kêm bikin.
Feydeyên Kêmkirina windahiyên MOSFET Body Diode
Kêmasiya Baştir: Kêmkirina windahiyên dioda laş dibe sedema zêdekirina karbidestiya tevnvîsê, vediguhere xerckirina hêzê û teserûfa enerjiyê kêmtir.
Hilberîna Germiya Kêmkirî: Kêmkirina windahiyan hilberîna germê ya di nav MOSFET û pêkhateyên derdorê de kêm dike, performansa germî baştir dike û temenê pêkhateyê dirêj dike.
Pêbaweriya pêşkeftî: Germahiya xebitandinê ya nizm û stresa kêm a li ser pêkhateyan dibe alîkar ku pêbaweriya dor û dirêjahiya zêde bike.
Xelasî
Diodên laşê MOSFET, her çend pir caran têne paşguh kirin, dikarin bandorek girîng li ser kar û performansê bikin. Fêmkirina çavkaniyên windabûna dioda laş û bicihanîna stratejiyên kêmkirina bandorker ji bo sêwirana pergalên elektronîkî yên pêbawer û pêbawer pir girîng e. Bi pejirandina van teknîkan, endezyar dikarin performansa dorpêçê xweştir bikin, xerckirina enerjiyê kêm bikin, û temenê sêwiranên xwe yên elektronîkî dirêj bikin.
Dema şandinê: Jun-07-2024